國際電子商情5日獲悉,由于晶圓及晶圓代工產(chǎn)能吃緊情況持續(xù),產(chǎn)業(yè)內(nèi)喊漲聲越來越大,近期更有多家大廠宣布漲價,包括存儲器、SoC、代工價、封測等均傳出缺貨漲價消息。
國際電子商情先前有報道,自8月以來,產(chǎn)能吃緊情況加重,但8吋晶圓代工產(chǎn)能擴產(chǎn)有限,加上下游終端客戶擔(dān)心搶不到產(chǎn)能,因此部分訂單涌入6吋產(chǎn)能,臺系代工大廠茂矽因此受益,9月表態(tài)其產(chǎn)能已滿載,并透露“不排除與客戶協(xié)商調(diào)漲代工價格的可能。但接單將優(yōu)先接下芯片需求,MOSFET的將酌情考慮。”
近期,BusinessKorea報道稱,在供給緊繃狀態(tài)下,芯片價格喊漲態(tài)勢恐將持續(xù)。而同一狀態(tài)中,在存儲器方面,市調(diào)機構(gòu)TrendForce最新報告預(yù)測,固態(tài)硬盤(SSD)控制芯片價格或有20%的上漲空間 。受此影響,內(nèi)嵌式存儲器 eMMC、UFS 在2021年首季價格估計將調(diào)漲5%。
另外,該機構(gòu)認(rèn)為,目前DRAM市場前景較好,除了現(xiàn)貨價調(diào)漲勢頭已定,預(yù)計固定合約價也將跟進(jìn)調(diào)漲。報告指出,2020年12月DRAM現(xiàn)貨價3.46美元,比11月時高出30%。 該機構(gòu)預(yù)計2021年首季DRAM價格將季增5%。
對比上述機構(gòu),韓國KB證券分析師Jeff Kim預(yù)測相對樂觀,據(jù)他分析,認(rèn)為三星電子資本開支保守,因此產(chǎn)能方面吃緊情況短期內(nèi)恐難有變化,預(yù)計會讓DRAM 和NAND漲勢延續(xù)至2021年。Jeff 估計,2021年DRAM價格將年增7.1%,遠(yuǎn)優(yōu)于2020年下跌14.4%。
Jeff 表示,看好存儲器市況的理由有三,一是伺服器替換需求暫緩4年后需求迎來將復(fù)蘇,有利伺服器DRAM/SSD;二是美國限制華為措施仍未放松,讓中國手機廠商處于“危機感”下,因此包括OPPO、vivo、小米等廠商都在加大采購力度;三是美光跳電引發(fā)的供給短缺憂慮,也會拉升DRAM 買氣。報告并指出,目前三星和SK 海力士庫存正在迅速減少,可能會降至正常水位的一半。
供應(yīng)鏈方面,近期也傳出8吋廠生產(chǎn)的顯示器驅(qū)動芯片(DDI)、電源管理芯片(PMIC)漲價。稍早之前,匯頂已證實,將自1月1日起觸控芯片 GT9系列漲價30%。(相關(guān)閱讀:匯頂科技證實,GT9觸控芯片全系漲價30%!)
更早之前,聯(lián)詠已經(jīng)宣布2021年起調(diào)高顯示器驅(qū)動芯片價格。AOS(萬國)近期也發(fā)出漲價信號,宣布電源管理芯片在2021年1月起調(diào)漲 20%。值得一提的是,Diodes近期也發(fā)出調(diào)價函稱,受新冠疫情影響,以及受到供應(yīng)商的成本增加和交貨期延長的挑戰(zhàn),將對部分產(chǎn)品價格進(jìn)行調(diào)漲,價格調(diào)漲部分將自2021年1月1日開始生效。有消息顯示,目前Diodes的低壓Mosfet交期拉長,延長至17-22周。
上周,硅晶圓大廠環(huán)球晶日前公開表態(tài),受惠5G、車用等應(yīng)用強勁需求帶動,該公司尺寸產(chǎn)能到明年上半年均維持滿載,營收可望逐季走揚,其中,12 吋現(xiàn)貨價已調(diào)漲,其他尺寸也將逐步調(diào)漲,估明年整體ASP(平均售價)可能略優(yōu)于今年。(推薦閱讀:產(chǎn)能滿載,晶圓大廠宣布全尺寸漲價!)
環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,隨著汽車電子市場需求在今年8、9月逐漸回暖,目前環(huán)球晶2020年營運表現(xiàn)符合預(yù)期,產(chǎn)能方面,目前6吋 (及以下)、8吋與12吋產(chǎn)能均滿載,且到明年上半年都將維持滿載狀態(tài)。“預(yù)期2021年12吋現(xiàn)貨價漲幅會最大,其他尺寸也將逐步調(diào)漲。”徐秀蘭說。
環(huán)球晶方面表示,整體而言,2021年長期合約比重較今年下滑,現(xiàn)貨價則較今年成長,綜合兩因素影響,2021年ASP (平均售價)不會與今年差異太大,可能略優(yōu)于2020年。
值得一提的是,針對產(chǎn)業(yè)擔(dān)憂的有關(guān)庫存調(diào)整疑慮方面,環(huán)球晶方面表示,已持續(xù)與客戶確認(rèn)是否有重復(fù)下單情況,但每個客戶給到的反饋都是“沒有重復(fù)下單”。
展望未來,徐秀蘭認(rèn)為,2021年整體營收可望逐季走揚,總出貨面積可能接近、或持平2018年的歷史高點,不過匯率因素方面還有待觀察。與此同時,考慮到疫情加速數(shù)字轉(zhuǎn)型,及5G、電動車等應(yīng)用強勁需求帶動,預(yù)計到2022年營收表現(xiàn)又會優(yōu)于2021年。
針對近期各家外資紛紛看好存儲器的前景,瑞銀(UBS)也在最新報告指出,預(yù)計存儲器將自2021年首季開始迎接新的成長周期,且時間將持續(xù)至2022年中。與此同時,該報告也提到,存儲器市場方面,雖預(yù)期DRAM供不應(yīng)求的表現(xiàn),但NAND Flash方面預(yù)期仍存在供應(yīng)過剩的情況。
報告指出,2021年存儲器市場,在DRAM方面因為伺服器DRAM的需求提升,加上中國手機廠商,包括OPPO、vivo以及小米都想搶食華為市占大舉擴產(chǎn),拉抬移動DRAM需求情況下,導(dǎo)致DRAM報價在2021年首季開始上揚。
另外,報告認(rèn)為,隨著云計算和5G需求帶動,各大終端也開始積極對伺服器DRAM開始大規(guī)模采購計劃,且需求強勁力道超出市場預(yù)期,而需求增長態(tài)勢預(yù)期將持續(xù)到2022年,預(yù)測2021年首季DRAM的報價季增4%,超越先前預(yù)估的季增1%。而第2季預(yù)估更較第1季成長10%,超出之前預(yù)估的7%增幅,使得2021年總體DRAM的報價較先前預(yù)估的7%成長3個百分點,漲幅可望達(dá)到10%的水位。
至于NAND Flash市場方面,雖然2021年NAND Flash的報價成長有限,加上供過于求的狀況也將持續(xù)至2021年,預(yù)期表現(xiàn)不如DRAM來的亮眼。但報告也指出 ,只要智能手機需求成長態(tài)勢不變,即使NAND Flash不是提升重點,后續(xù)也有成長的空間 。另外,預(yù)計PC對SSD固態(tài)硬盤的需求在2021年上半年仍舊強勁,但預(yù)計持續(xù)時間有限,不一定能維持到下半年的情況下,針對NAND Flash在2021年的市場報價,較先前預(yù)估的下滑33%的幅度則有所收斂,預(yù)計將較2020年下滑28% 。